IMR OpenIR
TiN/MgO(001)界面结构研究
陈东,马秀良
2004-08-25
发表期刊电子显微学报
期号4页码:404
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室 辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
关键词界面结构:8902 赝势方法:1784 第一原理:1733 电子结构:1706 高分辨像:1706 显微结构:1634 Tin薄膜:1453 高分辨电子显微像:1185 高分辨电子显微镜:1147 薄膜材料:1113
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25630
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈东,马秀良. TiN/MgO(001)界面结构研究[J]. 电子显微学报,2004(4):404.
APA 陈东,马秀良.(2004).TiN/MgO(001)界面结构研究.电子显微学报(4),404.
MLA 陈东,马秀良."TiN/MgO(001)界面结构研究".电子显微学报 .4(2004):404.
条目包含的文件
条目无相关文件。
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[陈东,马秀良]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[陈东,马秀良]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[陈东,马秀良]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。