TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响

IMR OpenIR

	TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响
	宋贵宏,郑静地,刘越,孙超
	2004-06-30
发表期刊	人工晶体学报
期号	3 页码:422-427
摘要	利用电弧离子镀 ,在不锈钢和SiCp 增强 2 0 2 4铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜。结果表明 :TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上 ,膜层呈 [111]择优取向 ;然而 ,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上 ,膜层呈 [2 2 0 ]方向择优取向 ;并且随着过渡层从零开始增厚 ,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小 ,而T(2 0 0 )逐渐增大 ,但膜层一直以 [2 2 0 ]方向择优取向 ,内应力的存在可能是膜层产生 [2 2 0 ]方向择优取向的原因。在复合材料基底TiAl过渡层上沉积 ,随着负脉冲偏压的增加 ,TiAlN膜层的择优取向由 [111]向 [2 0 0 ]转变。在不锈钢基底上 ,没有TiAl过渡层时 ,膜层表面相对光滑 ,大颗粒较少 ;有了TiAl过渡层 ,表面大颗粒较多 ;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大 ,颗粒尺寸相差无几。没有TiAl过渡层时 ,膜层结合强度很差 ,有了TiAl过渡层 ,结合强度明显增加 ,但结合强度的大小随过渡层沉积时间 (厚度 )变化。
部门归属	沈阳工业大学材料科学与工程学院,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所沈阳110023,沈阳110015,沈阳110015,沈阳110015
关键词	电弧离子镀 Tialn膜层织构 Tial过渡层结合强度内应力
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25690
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	宋贵宏,郑静地,刘越,孙超. TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响[J]. 人工晶体学报,2004(3):422-427.
APA	宋贵宏,郑静地,刘越,孙超.(2004).TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响.人工晶体学报(3),422-427.
MLA	宋贵宏,郑静地,刘越,孙超."TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响".人工晶体学报 .3(2004):422-427.