疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核

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	疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核
	李勇,李守新,李广义
	2004-05-11
发表期刊	金属学报
期号	5 页码:462-466
摘要	采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究,结果表明,形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定;穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构;裂纹优先从形变带产生。
部门归属	中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
关键词	Cu双晶位错组态裂纹形变带
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25744
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李勇,李守新,李广义. 疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核[J]. 金属学报,2004(5):462-466.
APA	李勇,李守新,李广义.(2004).疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核.金属学报(5),462-466.
MLA	李勇,李守新,李广义."疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核".金属学报 .5(2004):462-466.