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Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失
朱荣,李守新,李勇,李明扬,晁月盛
2004-05-11
发表期刊金属学报
期号5页码:467-470
摘要在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB),在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况,结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失,实现了PSB的分段相消,在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象。
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,东北大学材料物理系 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016 东北大学材料物理系,沈阳 110004,沈阳 110004
关键词Cu单晶体 驻留滑移线 驻留滑移带 渗透力 分段相消
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25745
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
朱荣,李守新,李勇,李明扬,晁月盛. Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失[J]. 金属学报,2004(5):467-470.
APA 朱荣,李守新,李勇,李明扬,晁月盛.(2004).Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失.金属学报(5),467-470.
MLA 朱荣,李守新,李勇,李明扬,晁月盛."Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失".金属学报 .5(2004):467-470.
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