| 偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响 |
| 邹友生,汪伟,郑静地,孙超,黄荣芳,闻立时
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| 2004-05-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 5页码:537-540 |
| 摘要 | 采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜,用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜的结构进行了分析。结果表明,Raman谱的D峰和G峰的强度之比,I_D/I_G随着脉冲负偏压的增加先减小后增大,sp~3键含量随着负偏压的增加先增加后减小。偏压为-200 V时,I_D/I_G值最小为0.70,sp~3键含量最大为26.7％。纳米压痕仪测量结果表明,随着脉冲负偏压增加,硬度和弹性模量先增加后下降,偏压为-200 V时,DLC膜的硬度和弹性模量最大,分别为30.8和250.1 GPa。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | 类金刚石膜
电弧离子镀
脉冲偏压
结构
力学性能
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25749
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邹友生,汪伟,郑静地,孙超,黄荣芳,闻立时. 偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响[J]. 金属学报,2004(5):537-540.
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| APA |
邹友生,汪伟,郑静地,孙超,黄荣芳,闻立时.(2004).偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响.金属学报(5),537-540.
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| MLA |
邹友生,汪伟,郑静地,孙超,黄荣芳,闻立时."偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响".金属学报 .5(2004):537-540.
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