| 压痕诱发GaAs单晶中的位错组态 |
| 李井润,李志成,徐永波
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| 2004-03-25
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| 发表期刊 | 中山大学学报(自然科学版)
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| 期号 | 2页码:43-45 |
| 摘要 | 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究。结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构。这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成。它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关。 |
| 部门归属 | 电子科技大学中山学院,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 广东中山528403,辽宁沈阳110016 ,辽宁沈阳110016
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| 关键词 | Gaas
压痕
位错
电子显微镜
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25802
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李井润,李志成,徐永波. 压痕诱发GaAs单晶中的位错组态[J]. 中山大学学报(自然科学版),2004(2):43-45.
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| APA |
李井润,李志成,徐永波.(2004).压痕诱发GaAs单晶中的位错组态.中山大学学报(自然科学版)(2),43-45.
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| MLA |
李井润,李志成,徐永波."压痕诱发GaAs单晶中的位错组态".中山大学学报(自然科学版) .2(2004):43-45.
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