| 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形 |
| 李井润,李志成,徐永波
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| 2004-02-25
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| 发表期刊 | 电子科技大学学报
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| 期号 | 1页码:59-62 |
| 摘要 | 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。 |
| 部门归属 | 电子科技大学中山学院,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 广东中山5284032,沈阳110016,沈阳110016
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| 关键词 | Gaas单晶
压痕
位错与孪晶
电子显微镜
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25834
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李井润,李志成,徐永波. 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J]. 电子科技大学学报,2004(1):59-62.
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| APA |
李井润,李志成,徐永波.(2004).压痕诱发GaAs单晶的塑性变形.电子科技大学学报(1),59-62.
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| MLA |
李井润,李志成,徐永波."压痕诱发GaAs单晶的塑性变形".电子科技大学学报 .1(2004):59-62.
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