电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析

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	电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析
	李勇,高薇,苏会和,李守新
	2003-12-25
发表期刊	电子显微学报
期号	6 页码:562-563
部门归属	中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家实验室辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016,辽宁沈阳110016
关键词	电子背散射衍射技术:7430 位错结构:4863 取向变化:2872 铜单晶:2869 扫描电子显微镜:1067 材料科学:912 中国科学院:852 金属研究所:828 形变带:796 疲劳过程:792
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25904
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李勇,高薇,苏会和,李守新. 电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析[J]. 电子显微学报,2003(6):562-563.
APA	李勇,高薇,苏会和,李守新.(2003).电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析.电子显微学报(6),562-563.
MLA	李勇,高薇,苏会和,李守新."电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析".电子显微学报 .6(2003):562-563.