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结晶状态对铜内耗频率谱的影响
张进修,龚康,王晓伟,朱震刚
2003-11-11
发表期刊金属学报
期号11页码:1212-1214
摘要用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明 显的共振吸收频率峰. 3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰 的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
部门归属中山大学光电技术与材料国家重点实验室,中山大学光电技术与材料国家重点实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放实验室 广州 510275中山大学物理系,广州 510275,广州 510275中山大学物理系,广州 510275,沈阳 110016,合肥 230031
关键词内耗 频率谱 多晶铜 单晶铜 纳米晶铜 共振吸收
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25939
专题中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
张进修,龚康,王晓伟,朱震刚. 结晶状态对铜内耗频率谱的影响[J]. 金属学报,2003(11):1212-1214.
APA 张进修,龚康,王晓伟,朱震刚.(2003).结晶状态对铜内耗频率谱的影响.金属学报(11),1212-1214.
MLA 张进修,龚康,王晓伟,朱震刚."结晶状态对铜内耗频率谱的影响".金属学报 .11(2003):1212-1214.
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