光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析

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	光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析
	彭晓,王福会,D.R.Clarke
	2003-10-11
发表期刊	金属学报
期号	10 页码:1060-1064
摘要	用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co—Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果: (1)残余应力随氧化温度升高而增大; (2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.
部门归属	中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室,Materials Department, College of Engineering, University of California at Santa Barbara, CA 93106-5050 沈阳 110016,沈阳 110016
关键词	光激发荧光谱术 Al2o3 残余应力磁控溅射co-cr-al(y) 纳米涂层
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25973
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	彭晓,王福会,D.R.Clarke. 光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析[J]. 金属学报,2003(10):1060-1064.
APA	彭晓,王福会,D.R.Clarke.(2003).光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析.金属学报(10),1060-1064.
MLA	彭晓,王福会,D.R.Clarke."光激发荧光谱术分析Co-Cr-Al(Y)纳米涂层的氧化 Ⅱ.Al_2O_3膜应力测量与分析".金属学报 .10(2003):1060-1064.