| 压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构 |
| 李井润,李志成,刘路,徐永波
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| 2003-08-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 4页码:359-364 |
| 摘要 | 用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还形成了层错。层错有两种类型:一种由两个具有不同Burgers矢量的不全位错组成,另一种则由具有相同Burgers矢量的不全位错组成。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 中山学院 沈阳市 110016
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| 关键词 | 无机非金属材料
砷化镓单晶
压痕
塑性变形
层错
电子显微镜
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26019
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李井润,李志成,刘路,徐永波. 压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构[J]. 材料研究学报,2003(4):359-364.
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| APA |
李井润,李志成,刘路,徐永波.(2003).压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构.材料研究学报(4),359-364.
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| MLA |
李井润,李志成,刘路,徐永波."压痕诱发GaAs塑性变形区的层错结构".材料研究学报 .4(2003):359-364.
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