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用脉冲电流处理后疲劳铜单晶的位错行为
肖素红,郭敬东,李守新
2003-06-25
发表期刊材料研究学报
期号3页码:225-229
摘要将[233]共面双滑移取向的铜单晶体在两种恒塑性应变幅下进行循环疲劳,形成密度不同的位错结构。用高密度脉冲电流对疲劳铜单晶体处理后,试样中位错的结构由单纯的脉络结构转化成位错胞状结构。高密度脉冲电流处理引起的热压应力不但加强了主滑移系位错的运动,还使其面次滑移系开动,在主滑移系位错和共面次滑移系位错的共同作用下导致位错胞状结构的形成。
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳市 110016 中国科学院金属研究所
关键词材料科学基础学科 共面双滑移 脉冲电流处理 位错结构
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26082
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
肖素红,郭敬东,李守新. 用脉冲电流处理后疲劳铜单晶的位错行为[J]. 材料研究学报,2003(3):225-229.
APA 肖素红,郭敬东,李守新.(2003).用脉冲电流处理后疲劳铜单晶的位错行为.材料研究学报(3),225-229.
MLA 肖素红,郭敬东,李守新."用脉冲电流处理后疲劳铜单晶的位错行为".材料研究学报 .3(2003):225-229.
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