| 脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能 | |
| 黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时 | |
| 2003-05-11 | |
| Source Publication | 金属学报
 |
| Issue | 5Pages:516-520 |
| Abstract | 利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。 |
| description.department | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,大连理工大学三束实验室,大连理工大学三束实验室,中国科学院金属研究所 沈阳 110016 大连理工大学三束实验室,大连 116024,沈阳 110016,大连 116024,大连 116024,沈阳 110016 |
| Keyword | 电弧离子镀 低温沉积 脉冲偏压 Tin 薄膜 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26107 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时. 脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能[J]. 金属学报,2003(5):516-520. |
| APA | 黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时.(2003).脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能.金属学报(5),516-520. |
| MLA | 黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时."脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能".金属学报 .5(2003):516-520. |
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