| 脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能 |
| 黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时
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| 2003-05-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 5页码:516-520 |
| 摘要 | 利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,大连理工大学三束实验室,大连理工大学三束实验室,中国科学院金属研究所 沈阳 110016 大连理工大学三束实验室,大连 116024,沈阳 110016,大连 116024,大连 116024,沈阳 110016
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| 关键词 | 电弧离子镀
低温沉积
脉冲偏压
Tin 薄膜
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26107
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时. 脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能[J]. 金属学报,2003(5):516-520.
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| APA |
黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时.(2003).脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能.金属学报(5),516-520.
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| MLA |
黄美东,孙超,林国强,董闯,闻立时."脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN硬质薄膜的力学性能".金属学报 .5(2003):516-520.
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