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透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析
陆峰,徐成海,曹洪涛,裴志亮,孙超,闻立时
2003-02-28
发表期刊真空科学与技术
期号1页码:12-14+18
摘要用直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜 ,对这种薄膜进行了XRD分析 ,并对其光、电性能作了详细的研究。结果表明 :ZAO薄膜的结构为标准的ZnO纤锌矿相 ,没有Al2 O3 相出现 ;其最低电阻率为 4 5× 10 -4Ω?cm、可见光透射率在 80 %以上 ,红外波段的反射率达 70 %以上 ,是优质的透明导电膜
部门归属东北大学机械工程与自动化学院,东北大学机械工程与自动化学院,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳110004中国科学院金属研究所沈阳110015,沈阳110004,沈阳110015,沈阳110015,沈阳110015,沈阳110015
关键词Zao薄膜 X射线衍射 电阻率 透射率 反射率
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26195
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陆峰,徐成海,曹洪涛,裴志亮,孙超,闻立时. 透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析[J]. 真空科学与技术,2003(1):12-14+18.
APA 陆峰,徐成海,曹洪涛,裴志亮,孙超,闻立时.(2003).透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析.真空科学与技术(1),12-14+18.
MLA 陆峰,徐成海,曹洪涛,裴志亮,孙超,闻立时."透明导电ZnO∶Al(ZAO)纳米薄膜的性能分析".真空科学与技术 .1(2003):12-14+18.
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