ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 | |
陆峰,徐成海,孙超,闻立时 | |
2003-01-30 | |
Source Publication | 东北大学学报
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Issue | 1Pages:54-57 |
Abstract | 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系?得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大?制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω?cm,可见光透射率达到80%以上? |
description.department | 东北大学机械工程与自动化学院 , 东北大学机械工程与自动化学院 , 中国科学院金属研究所 , 中国科学院金属研究所 辽宁沈阳 110004,辽宁沈阳 110004,辽宁沈阳 110015 ,辽宁沈阳 110015 |
Keyword | Zao薄膜 Al质量分数 Eds Xrd 电阻率 透射率 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26241 |
Collection | 中国科学院金属研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时. ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响[J]. 东北大学学报,2003(1):54-57. |
APA | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时.(2003).ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响.东北大学学报(1),54-57. |
MLA | 陆峰,徐成海,孙超,闻立时."ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响".东北大学学报 .1(2003):54-57. |
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