| 电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大 |
| 李志成,刘路,贺连龙,徐永波
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| 2003-01-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 1页码:13-16 |
| 摘要 | 利用高分辨电子显微镜对电子束辐照诱发非晶GaAs晶化过程现象进行了原位观察.结果表明,具有几个原子大小的原子簇在辐照初期产生,并作为晶化的核心在随后的辐照过程中不断长大;大部分结晶晶粒保持相同的晶体取向,其余少量不同取向的晶粒也与前者保持孪晶关系.电子束辐照诱发非晶GaAs晶化的速率与电子束流密度有关;电子束辐照非晶GaAs结晶不是电子束诱发材料温度升高的结果,而与电子能量有关.本文对辐照晶化的机制和结晶过程进行了讨论. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016
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| 关键词 | 非晶gaas
电子束辐照
结晶
原位观察
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26252
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李志成,刘路,贺连龙,徐永波. 电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大[J]. 金属学报,2003(1):13-16.
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| APA |
李志成,刘路,贺连龙,徐永波.(2003).电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大.金属学报(1),13-16.
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| MLA |
李志成,刘路,贺连龙,徐永波."电子束诱导非晶GaAs晶化的形核与长大".金属学报 .1(2003):13-16.
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