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管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算
汪爱英,纪爱玲,邹友生,孙超,黄荣芳,闻立时
2002-12-30
发表期刊人工晶体学报
期号6页码:576-582
摘要在热丝化学气相沉积 (HFCVD)金刚石膜的传统管道反应器中 ,对不同传热机制下管道壁温度场的空间分布进行了模拟计算。结果表明 ,管道壁温度场在纯热辐射机制作用下的分布很不均匀 ;在绝热和恒温的边界条件下考虑热传导作用后 ,管道壁温度分布的均匀性大大提高 ;进一步的热对流作用仅提高管道壁的总体温度 ,并不显著改变管道壁温度场的均匀性分布。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳110016
关键词热丝化学气相沉积 金刚石膜 温度场 模拟计算
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26259
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
汪爱英,纪爱玲,邹友生,孙超,黄荣芳,闻立时. 管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算[J]. 人工晶体学报,2002(6):576-582.
APA 汪爱英,纪爱玲,邹友生,孙超,黄荣芳,闻立时.(2002).管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算.人工晶体学报(6),576-582.
MLA 汪爱英,纪爱玲,邹友生,孙超,黄荣芳,闻立时."管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算".人工晶体学报 .6(2002):576-582.
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