| 等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线 |
| 马洪波; 丛洪涛
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| 2002-12-15
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| 发表期刊 | 科学技术与工程
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| 期号 | 6页码:47-49 |
| 摘要 | 采用两步熔铝氮化法成功地制备出了 AlN 纳米线。首先,用含氮等离子体电弧法制得 Al+AIN 混合纳米粉。然后,再将 Al+AlN 混合纳米粉在750～850℃下保温1h 进行氮化处理,制备出含有 AlN 纳米线的纯 AlN 纳米材料。经 XRD、TEM和 HR—TEM 的测试表明:AIN 纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10～50mm,长度为500 nm～500μm。同时探讨了 AlN纳米线的生长机制。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳国家材料科学(联合)实验室,沈阳110016,沈阳国家材料科学(联合)实验室,沈阳110016
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| 关键词 | 等离子电弧
Ain 纳米线
制备
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26314
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
马洪波,丛洪涛. 等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线[J]. 科学技术与工程,2002(6):47-49.
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| APA |
马洪波,&丛洪涛.(2002).等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线.科学技术与工程(6),47-49.
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| MLA |
马洪波,et al."等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线".科学技术与工程 .6(2002):47-49.
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