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镍基合金中γ’相界面的强化设计
胡壮麒,彭平,刘轶,金涛,孙晓峰,管恒荣
2002-11-28
发表期刊金属学报
期号11页码:1121-1126
摘要采用第一原理分子轨道离散变分Xα法,研究在镍基合金中加Ir合金化的作用,以及在镍基合金中存在B,C,N,H,O,P或S时对γ相和γ’相界面结合强度的影响.证明Ir合金化后,使γ相和γ’相的晶格错配度向负值变化,提高键重叠集居数和总键序.在镍基合金中存在的S,P,H,O,N,B或 C,对γ-Ni/γ'-Ni2Al相界面结合力有明显影响,其中C,B和N显著增强两相的界面,相反S和P则减弱相界的结合.
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016,沈阳110016
关键词离散变分xα法 镍基合金 相界面结合力 Γ'-ni3al
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26318
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
胡壮麒,彭平,刘轶,金涛,孙晓峰,管恒荣. 镍基合金中γ’相界面的强化设计[J]. 金属学报,2002(11):1121-1126.
APA 胡壮麒,彭平,刘轶,金涛,孙晓峰,管恒荣.(2002).镍基合金中γ’相界面的强化设计.金属学报(11),1121-1126.
MLA 胡壮麒,彭平,刘轶,金涛,孙晓峰,管恒荣."镍基合金中γ’相界面的强化设计".金属学报 .11(2002):1121-1126.
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