| 激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率 |
| 战可涛,线全刚,郑丰,梁勇,段雪
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| 2002-10-30
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| 发表期刊 | 北京化工大学学报(自然科学版)
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| 期号 | 5页码:75-78 |
| 摘要 | 以硅烷SiH4和乙烯C2 H4为反应原料 ,采用激光诱导化学气相沉积法 (LICVD)制备了高纯、低团聚、近球形的理想纳米SiC粉体。用化学分析、X射线衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )及比表面积 (BET)等分析测试手段对粉体进行了表征 ,结果表明粉体中SiC含量高于 98% ,平均粒径为 2 0nm ,晶体结构为 β SiC ,粉体产率大于2 0 0 g/h ,粉体中氧含量低于 1% ,且主要是表面的吸附氧 ;从能量和反应气流量两个方面对粉体产率进行了理论分析 ,在此基础上推导出了粉体产率公式 ,与实际粉体产率基本一致。 |
| 部门归属 | 北京化工大学理学院,中国科学院金属研究所激光加工研究室,中国科学院金属研究所激光加工研究室,中国科学院金属研究所激光加工研究室,北京化工大学理学院 可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室,北京100029
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| 关键词 | 激光
制备
纳米
碳化硅
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26337
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
战可涛,线全刚,郑丰,梁勇,段雪. 激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率[J]. 北京化工大学学报(自然科学版),2002(5):75-78.
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| APA |
战可涛,线全刚,郑丰,梁勇,段雪.(2002).激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率.北京化工大学学报(自然科学版)(5),75-78.
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| MLA |
战可涛,线全刚,郑丰,梁勇,段雪."激光法制备高纯纳米SiC粉体及其产率".北京化工大学学报(自然科学版) .5(2002):75-78.
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