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Ti_3SiC_2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能
刘光明,李美栓,张亚明,周延春
2002-08-30
发表期刊中国有色金属学报
期号4页码:629-633
摘要采用固体粉末包埋法在Ti3 SiC2 陶瓷上渗硅 ,研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能 ,用XRD及SEM /EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分、结构和形貌等。结果表明 :渗硅层主要由TiSi2 和SiC组成 ,在空气中氧化时形成了SiO2 和TiO2 的混合氧化物膜。渗硅样品在 110 0℃和 12 0 0℃下的恒温氧化速率比Ti3 SiC2 降低了 2~3个数量级 ,110 0℃下抗循环氧化性能也优于Ti3 SiC2 。但由于渗硅层中存在裂纹 ,循环过程中当裂纹贯穿整个渗硅层时 ,涂层的氧化速度开始增加 ,其保护作用逐步退化。在 110 0℃下空气中循环氧化时 ,经 40 0次循环后涂层已基本失效。
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳110016
关键词钛碳化硅 渗硅 高温氧化 涂层
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26416
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘光明,李美栓,张亚明,周延春. Ti_3SiC_2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能[J]. 中国有色金属学报,2002(4):629-633.
APA 刘光明,李美栓,张亚明,周延春.(2002).Ti_3SiC_2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能.中国有色金属学报(4),629-633.
MLA 刘光明,李美栓,张亚明,周延春."Ti_3SiC_2表面渗硅涂层的抗高温氧化性能".中国有色金属学报 .4(2002):629-633.
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