| 直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究 |
| 陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时
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| 2002-07-15
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| 发表期刊 | 真空
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| 期号 | 3页码:23-26 |
| 摘要 | 本文对直流磁控反应溅射制备 ZAO薄膜的工艺作了具体分析 ,探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对 ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。 |
| 部门归属 | 东北大学,东北大学,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110004
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| 关键词 | Zao
电阻率
透射率
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26472
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时. 直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究[J]. 真空,2002(3):23-26.
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| APA |
陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时.(2002).直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究.真空(3),23-26.
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| MLA |
陆峰,徐成海,裴志亮,闻立时."直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究".真空 .3(2002):23-26.
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