浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征

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	浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征
	金头男,聂祚仁,李斗星
	2002-04-30
发表期刊	中国有色金属学报
期号	2 页码:284-289
摘要	用透射电子显微术研究了 (SiCw+B4Cp) /Mg(AZ91)复合材料的界面特征。结果表明 :B4Cp/Mg界面区反应生成物混乱 ,而在SiCw/Mg界面区较为规则。SiCw/Mg界面生成了两种反应物 ,其中MgO与SiC具有 180 旋转孪晶关系 ,孪晶面为 { 111} SiC ,MgO,而MgB2 一般以SiC表面一薄层MgO为基底生长成较大且完整的晶形 ,MgB2 与MgO之间的晶体学取向关系为 :(1—11) MgO∥ (0 0 0 1—) MgB2 ,[110 ]MgO∥ [112 —0 ]MgB2 。高分辨观察结合计算机模拟确定了MgO/MgB2 界面有两种原子占位方式 ,一种为界面处有两层Mg原子分别属于两相 ,另一种为界面处只有一层Mg原子为两相共享。此外 ,基体中第二相Mg17(Al,Zn) 12 和未知弥散小颗粒均与基体Mg非共格
部门归属	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室北京100022.中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳110015
关键词	镁基复合材料 Sic晶须 B4c颗粒界面结构
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26538
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金头男,聂祚仁,李斗星. 浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征[J]. 中国有色金属学报,2002(2):284-289.
APA	金头男,聂祚仁,李斗星.(2002).浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征.中国有色金属学报(2),284-289.
MLA	金头男,聂祚仁,李斗星."浸渍/挤压(SiC_w+B_4C_p)/Mg(AZ91)复合材料的界面特征".中国有色金属学报 .2(2002):284-289.