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室温下单晶硅压痕微裂纹的形成与扩展
张琼,周海芳,李斗星
2002-02-25
发表期刊电子显微学报
期号1页码:56-58
摘要用透射电镜定位观察研究了在室温下高纯单晶硅显微压痕表面radial脆性微裂纹的纳观形变 ,阐述了塑性变形对微裂纹形核、扩展及开裂的影响。发现 :室温下单晶硅的压痕前沿经历了极复杂的非线性演化 :前沿区的位错发射与运动 (Kcleave>Kemit时 )、解理微纹形核与扩展 (σ塞 >σth 时 )。观察到压痕前沿发生塑性诱导解理和解理胚不连续形核与扩展的过程
部门归属福州大学材料学院,福州大学电子系,中国科学院金属研究所固体原子象开放实验室 福建福州350002,福建福州350002,辽宁沈阳110015
关键词定位观察 位错 塑性诱导解理
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26646
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张琼,周海芳,李斗星. 室温下单晶硅压痕微裂纹的形成与扩展[J]. 电子显微学报,2002(1):56-58.
APA 张琼,周海芳,李斗星.(2002).室温下单晶硅压痕微裂纹的形成与扩展.电子显微学报(1),56-58.
MLA 张琼,周海芳,李斗星."室温下单晶硅压痕微裂纹的形成与扩展".电子显微学报 .1(2002):56-58.
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