| 偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响 |
| 黄美东,董闯,宫骏,卢春燕,孙超,黄荣芳,闻立时
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| 2001-12-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 6页码:675-680 |
| 摘要 | 在不同基体负偏压作用下，用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积（ＰＶＤ）方法在单晶 Ｓｔ（１００）基片上获得六方晶系的晶态ＡｌＮ薄膜．用Ｘ射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随 偏压的变化，在扫描电子显微镜（ＳＥＭ）下观察沉积膜的显微组织形貌．结果表明，在较小偏压下，ＡｌＮ 膜呈（００２）择优取向，表面致密均匀；在较大偏压下，ＡｌＮ膜呈（１００）择优取向，表面形貌则粗糙不 平．ＡｌＮ薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响． |
| 部门归属 | 大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室,大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 偏压
阴极电弧离子镀
物理气相沉积
Aln薄膜
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26724
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄美东,董闯,宫骏,卢春燕,孙超,黄荣芳,闻立时. 偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响[J]. 材料研究学报,2001(6):675-680.
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| APA |
黄美东,董闯,宫骏,卢春燕,孙超,黄荣芳,闻立时.(2001).偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响.材料研究学报(6),675-680.
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| MLA |
黄美东,董闯,宫骏,卢春燕,孙超,黄荣芳,闻立时."偏压对阴极电弧离子镀AlN薄膜的影响".材料研究学报 .6(2001):675-680.
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