| 气相沉积生长单壁纳米碳管束 |
| 李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明
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| 2001-10-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 5页码:520-524 |
| 摘要 | 采用流动催化热解碳氢化合物方法制备出具有一定取向的单壁纳米碳管束．研究了单壁纳十碳管束的生长过程，发现单壁纳米碳管的生长过程是在气流飘浮单个催化剂颗粒中完成，这与热解碳氢化合物制备定向的多壁纳米碳管在基体催化剂上生长过程有所不同．根据单壁纳米碳管生长过程，推测出单壁纳米碳管束生长速度的数量级为１０~（－５）ｍ／ｓ． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 中国科学院固体原子像实验室,沈阳市110016
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| 关键词 | 单壁纳米碳管束
气相生长
生长机理
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26795
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明. 气相沉积生长单壁纳米碳管束[J]. 材料研究学报,2001(5):520-524.
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| APA |
李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明.(2001).气相沉积生长单壁纳米碳管束.材料研究学报(5),520-524.
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| MLA |
李峰,戴贵平,白朔,苏革,贺连龙,成会明."气相沉积生长单壁纳米碳管束".材料研究学报 .5(2001):520-524.
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