| 超薄Ti膜介电函数的尺寸效应 |
| 杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时
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| 2001-10-25
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| 发表期刊 | 自然科学进展
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| 期号 | 10页码:93-98 |
| 摘要 | 超薄Ti膜介电函数与薄膜厚度及外加电场频率的关系表明:超薄Ti膜的介电函数具有尺寸效应;超薄Ti膜介电函数实部随外加电场频率的增大而减小,对比超薄Ti膜直流电导率的实验结果,超薄薄膜形成过程中结构特征变化是导致介电函数尺寸效应的主要原因。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | 超薄ti膜
介电函数
尺寸效应
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26800
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时. 超薄Ti膜介电函数的尺寸效应[J]. 自然科学进展,2001(10):93-98.
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| APA |
杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时.(2001).超薄Ti膜介电函数的尺寸效应.自然科学进展(10),93-98.
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| MLA |
杜昊,宫骏,孙超,黄荣芳,闻立时."超薄Ti膜介电函数的尺寸效应".自然科学进展 .10(2001):93-98.
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