| 电弧离子镀中不同偏压模式对TiN薄膜形貌的影响 |
| 黄美东,孙超,董闯,黄荣芳,闻立时
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| 2001-07-15
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| 发表期刊 | 真空
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| 期号 | 3页码:36-38 |
| 摘要 | 用扫描电子显微镜观察了电弧离子镀中各种不同偏压模式 :不加偏压、加不同直流偏压和加幅值相同但占空比不同的脉冲偏压情况下获得的 Ti N薄膜的表面形貌。结果表明 ,脉冲偏压可以大大减小膜表面的大颗粒尺寸和数量 ,显著改善表面形貌。 |
| 部门归属 | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室!辽宁大连116024,中国科学院金属研究所,辽宁沈阳110016,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳110016,大连理工大学三束材料改性国家重点实验室!辽宁大连116024,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳110016,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳110016
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| 关键词 | 电弧离子镀
Tin
脉冲偏压
薄膜形貌
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26906
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄美东,孙超,董闯,黄荣芳,闻立时. 电弧离子镀中不同偏压模式对TiN薄膜形貌的影响[J]. 真空,2001(3):36-38.
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| APA |
黄美东,孙超,董闯,黄荣芳,闻立时.(2001).电弧离子镀中不同偏压模式对TiN薄膜形貌的影响.真空(3),36-38.
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| MLA |
黄美东,孙超,董闯,黄荣芳,闻立时."电弧离子镀中不同偏压模式对TiN薄膜形貌的影响".真空 .3(2001):36-38.
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