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疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场
杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟
2001-05-28
发表期刊金属学报
期号5页码:507-511
摘要利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差.由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制.
部门归属中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110016东北大学材料物理系,沈阳 110006,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110016,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110016,东北大学材料物理系!沈阳 110006,沈阳大学信息工
关键词疲劳cu单晶 驻留滑移带的演化 内应力场 位错结构模拟
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26966
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟. 疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场[J]. 金属学报,2001(5):507-511.
APA 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟.(2001).疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场.金属学报(5),507-511.
MLA 杨继红,李勇,李守新,马常祥,王刚,柯伟."疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场".金属学报 .5(2001):507-511.
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