| ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响 | |
| 姜健,巴德纯,闻立时 | |
| 2000-11-15 | |
| Source Publication | 真空
 |
| Issue | 6Pages:24-28 |
| Abstract | :Zn O∶ Al是一种 N型半导体材料 ,具有透明氧化导电薄膜优良的光电特性 ,本文着重地介绍了直流和射频磁控反应溅射下 ,各种工艺参数对 Zn O∶ Al薄膜电阻率的影响 |
| description.department | 东北大学!辽宁沈阳110006,东北大学!辽宁沈阳110006,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳110015 |
| Keyword | Zno∶al Zao 电阻率 霍尔迁移率 载流子浓度 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27136 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 姜健,巴德纯,闻立时. ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响[J]. 真空,2000(6):24-28. |
| APA | 姜健,巴德纯,闻立时.(2000).ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响.真空(6),24-28. |
| MLA | 姜健,巴德纯,闻立时."ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响".真空 .6(2000):24-28. |
| Files in This Item: | There are no files associated with this item. | |||||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment