| ITO薄膜的XPS和AES研究 |
| 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时
|
| 2000-04-25
|
| 发表期刊 | 材料研究学报
 |
| 期号 | 2页码:173-178 |
| 摘要 | 分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在，其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
|
| 关键词 | 化学状态
光电子能谱
俄歇电子能谱
Gauss拟合
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27279
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时. ITO薄膜的XPS和AES研究[J]. 材料研究学报,2000(2):173-178.
|
| APA |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(2000).ITO薄膜的XPS和AES研究.材料研究学报(2),173-178.
|
| MLA |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时."ITO薄膜的XPS和AES研究".材料研究学报 .2(2000):173-178.
|
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论