| 压痕诱导单晶GaAs非晶相变 |
| 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波
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| 2000-04-18
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发表期刊 | 金属学报
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期号 | 4页码:337-340 |
摘要 | 利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶 Vickers压痕诱发的形变行为结果表明,这种材料在 Vickers硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发 GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段. |
部门归属 | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究?
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关键词 | 压痕
Gaas单晶
非晶转变
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27285
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波. 压痕诱导单晶GaAs非晶相变[J]. 金属学报,2000(4):337-340.
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APA |
李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波.(2000).压痕诱导单晶GaAs非晶相变.金属学报(4),337-340.
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MLA |
李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波."压痕诱导单晶GaAs非晶相变".金属学报 .4(2000):337-340.
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