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压痕诱导单晶GaAs非晶相变
李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波
2000-04-18
发表期刊金属学报
期号4页码:337-340
摘要利用高分辨电子显微镜观察了(100)GaAs单晶 Vickers压痕诱发的形变行为结果表明,这种材料在 Vickers硬度计载荷的作用下产生许多李晶和堆垛层错,导致发生晶格扭曲,最终诱发晶体的非晶转变.孪晶、层错和晶格扭曲很可能是压痕诱发 GaAs非晶转变过程中经历的变形阶段.
部门归属中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室!沈阳110015,中国科学究金属研究所固体原子像开放研究实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究?
关键词压痕 Gaas单晶 非晶转变
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27285
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波. 压痕诱导单晶GaAs非晶相变[J]. 金属学报,2000(4):337-340.
APA 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波.(2000).压痕诱导单晶GaAs非晶相变.金属学报(4),337-340.
MLA 李志成,单智伟,吴亚桥,贺连龙,徐永波."压痕诱导单晶GaAs非晶相变".金属学报 .4(2000):337-340.
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