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热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)
刘文川,邓景屹
2000-04-15
发表期刊材料导报
期号4页码:59-60
摘要介绍了化学气相渗C/C材料在国内外的发展状况,指出落后的工艺技术阻碍了我国C/C产业的发展。金属所发明的化学气相渗新技术——HCVI能低成本快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料。该方法是在热梯度法基础上,利用电磁耦合原理使反应气体中间产物在交变电磁场作用下更加活泼、碰撞几率增多,从而增加了沉积速率。试验证明采用这种新工艺制备C/C材料沉积速率提高了30~50倍,该方法特别适合制备碳和陶瓷基复合材料。
部门归属中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 沈阳 110015,沈阳 110015
关键词Cvi Hcvi C/c材料 热结构复合材料
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27290
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘文川,邓景屹. 热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)[J]. 材料导报,2000(4):59-60.
APA 刘文川,邓景屹.(2000).热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料).材料导报(4),59-60.
MLA 刘文川,邓景屹."热结构复合材料的低成本制备——(高效、低成本、快速制备C/C、C-SiC系列热结构复合材料)".材料导报 .4(2000):59-60.
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