In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制

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	In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制
	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时
	2000-04-08
发表期刊	半导体学报
期号	4 页码:394-399
摘要	基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 的替换和氧缺位两者共同提供
部门归属	中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015
关键词	导电薄膜 In_2o_3∶sn Zno∶al 结构导电机制
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27293
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制[J]. 半导体学报,2000(4):394-399.
APA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(2000).In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制.半导体学报(4),394-399.
MLA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制".半导体学报 .4(2000):394-399.