| ITO薄膜的光电子能谱分析 |
| 陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时
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| 2000-02-20
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| 发表期刊 | 无机材料学报
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| 期号 | 1页码:188-192 |
| 摘要 | 运用ＸＰＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况．研究表明，低温直流磁控反应溅射ＩＴＯ薄膜退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以两种化合状态ＯＩ和ＯＩＩ存在，其结合能值分别为５２９．９０±０．３０ｅＶ和５３１．４０±０．２０ｅＶ，分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比ＲｏＩ／ｏＩＩ从薄膜表面到体内逐渐增大．退火后薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ小于未退火薄膜表面的ＲｏＩ／ｏＩＩ;经Ａｒ＋刻蚀２０ｍｉｎ后，退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ大于未退火薄膜体内的ＲｏＩ／ｏＩＩ．这些结果表明，ＩＴＯ薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳１１００１５
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| 关键词 | 化学状态
光电子能谱
Gaussian拟合
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27326
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时. ITO薄膜的光电子能谱分析[J]. 无机材料学报,2000(1):188-192.
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| APA |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(2000).ITO薄膜的光电子能谱分析.无机材料学报(1),188-192.
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| MLA |
陈猛,裴志亮,白雪冬,黄荣芳,闻立时."ITO薄膜的光电子能谱分析".无机材料学报 .1(2000):188-192.
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