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透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时
2000-01-18
发表期刊金属学报
期号1页码:72-76
摘要用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌、并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了 XPS和 AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能
部门归属中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015
关键词Zno:Al薄膜 电阻空间分布 光电性能
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27339
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时. 透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究[J]. 金属学报,2000(1):72-76.
APA 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时.(2000).透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究.金属学报(1),72-76.
MLA 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时."透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究".金属学报 .1(2000):72-76.
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