| 透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究 |
| 裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时
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| 2000-01-18
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发表期刊 | 金属学报
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期号 | 1页码:72-76 |
摘要 | 用磁控反应溅射法制备了ZnO:Al(简称ZAO)薄膜,研究了薄膜方块电阻空间分布的均匀性及微观形貌、并对ZnO:Al薄膜表面各元素的化学状态和深度分布进行了 XPS和 AES分析,同时也讨论了薄膜的光学电学性能 |
部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015,中国科学院金属研究所!沈阳110015
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关键词 | Zno:Al薄膜
电阻空间分布
光电性能
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27339
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时. 透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究[J]. 金属学报,2000(1):72-76.
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APA |
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时.(2000).透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究.金属学报(1),72-76.
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MLA |
裴志亮,谭明晖,陈猛,孙超,黄荣芳,闻立时."透明导电氧化物ZnO:Al(ZAO)薄膜的研究".金属学报 .1(2000):72-76.
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