| 循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征 |
| 胡运明,王中光
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| 1999-11-15
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| 发表期刊 | 自然科学进展
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| 期号 | 11页码:87-91 |
| 摘要 | 用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室 沈阳 110015
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| 关键词 | 铜双晶体:6123
位错结构:5785
循环变形:5065
晶界:1343
扫描电子显微镜:634
梯状结构:615
结构特征:598
驻留滑移带:393
对称双晶:369
国家重点实验室:365
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27377
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
胡运明,王中光. 循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征[J]. 自然科学进展,1999(11):87-91.
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| APA |
胡运明,王中光.(1999).循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征.自然科学进展(11),87-91.
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| MLA |
胡运明,王中光."循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征".自然科学进展 .11(1999):87-91.
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