| C/C-SiC梯度基复合材料氧化行为研究 |
| 邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,李依依
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| 1999-06-26
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| 发表期刊 | 硅酸盐学报
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| 期号 | 3页码:96-100 |
| 摘要 | 研究比较了Ｃ／Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为．实验结果表明：ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少了碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化质量损失速率．利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 碳／碳
梯度基复合材料
共沉积
氧化防护
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27453
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,李依依. C/C-SiC梯度基复合材料氧化行为研究[J]. 硅酸盐学报,1999(3):96-100.
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| APA |
邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,李依依.(1999).C/C-SiC梯度基复合材料氧化行为研究.硅酸盐学报(3),96-100.
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| MLA |
邓景屹,刘文川,杜海峰,成会明,李依依."C/C-SiC梯度基复合材料氧化行为研究".硅酸盐学报 .3(1999):96-100.
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