HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算

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	HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算
	宋贵宏,孙超,黄荣芳,闻立时
	1999-06-18
发表期刊	金属学报
ISSN	0412-1961
卷号	35.0 期号:6 页码:648-653
摘要	本文对HFCVD过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算．结果表明，气体的温度，体密度，速度和质量流密度场是空间位置的函数，在合适的位置，可获得均匀的温度和质量流密度．这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时的工艺参数选择提供理论依据．
部门归属	中国科学院金属研究所!沈阳,110015,沈阳工业大学材料工程系，沈阳,110026,中国科学院金属研究所!沈阳,110015,中国科学院金属研究所!沈阳,110015,中国科学院金属研究所!沈阳,110015
关键词	热丝化学气相沉积金刚石薄膜形核均匀生长空间场模拟计算
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:675334
引用统计	被引频次：1[CSCD] [CSCD记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27470
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	宋贵宏,孙超,黄荣芳,闻立时. HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算[J]. 金属学报,1999,35.0(6):648-653.
APA	宋贵宏,孙超,黄荣芳,闻立时.(1999).HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算.金属学报,35.0(6),648-653.
MLA	宋贵宏,孙超,黄荣芳,闻立时."HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算".金属学报 35.0.6(1999):648-653.