柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性

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	柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性
	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时
	1999-04-18
发表期刊	金属学报
期号	4 页码:443-448
摘要	利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响实验测得ＩＴＯ薄膜在６０ｎｍ厚时获得最低电阻率为４．２３×１０－４?ｃｍ，ＺＡＯ薄膜在２０ｎｍ厚时获得最低电阻率为８．０９×１０－４?ｃｍ．无论ＩＴＯ或是ＺＡＯ，其可见光区的平均透射率均大于７５％基于薄膜吸收系数的研究表明，ＩＴＯ薄膜的光学直接能隙在３．６５－４．００ｅＶ之间，间接跃迁在２．５０—２７５ｅＶ之间ＺＺＡＯ薄膜的光学直接能隙在３．２０—３；６０ｅＶ之间，间接跃迁在２５０—２．７５ｅＶ之间
部门归属	中国科学院金属研究所!沈阳，１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳，１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳，１１００１５,中国科学院金属研究所!沈阳，１１００１５
关键词	晶格畸变氧分压尺度效应透射率光学能隙
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27505
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. 柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性[J]. 金属学报,1999(4):443-448.
APA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(1999).柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性.金属学报(4),443-448.
MLA	陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性".金属学报 .4(1999):443-448.