| 软基片上ITO薄膜的光电特性 |
| 陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时
|
| 1999-03-30
|
| 发表期刊 | 功能材料与器件学报
 |
| 期号 | 1页码:61-65 |
| 摘要 | 利用直流反应磁控溅射技术，室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜．研究了沉积速率，靶基距，氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响．所得薄膜的最低电阻率为4．23×10-4Ω?cm，可见光区平均透射率大于78％．对应于低电阻率（～10-4Ω?cm）和高透射率（～78＄）的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳,110015,中国科学院金属研究所!沈阳,110015,中国科学院金属研究所!沈阳,110015,中国科学院金属研究所!沈阳,110015
|
| 关键词 | Ito
聚脂膜
电阻率
透射率
反应窗口
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27516
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时. 软基片上ITO薄膜的光电特性[J]. 功能材料与器件学报,1999(1):61-65.
|
| APA |
陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时.(1999).软基片上ITO薄膜的光电特性.功能材料与器件学报(1),61-65.
|
| MLA |
陈猛,白雪冬,黄荣芳,闻立时."软基片上ITO薄膜的光电特性".功能材料与器件学报 .1(1999):61-65.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论