压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构

IMR OpenIR

	压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构
	吴亚桥,徐永波
	1999-03-18
发表期刊	金属学报
期号	3 页码:289-291
摘要	利用透射电子显微术（ＴＥＭ）观察了单晶Ｓｉ维氏压痕区的结构转变平视和截面像相结合给出了压痕诱导Ｓｉ非晶化的轮廓图．其区域为与医头相似的倒四棱锥金字塔形，但其棱边夹角小于相对应的压头相对棱夹角残留的压痕深度很浅，直接证明了Ｓｉ的压痕区具有很大的弹性回复量．
部门归属	中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,固体原子像开放研究实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,固体原子像开放研究实验室!沈阳110015
关键词	非晶化相变压痕空间分布单晶硅
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27524
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴亚桥,徐永波. 压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构[J]. 金属学报,1999(3):289-291.
APA	吴亚桥,徐永波.(1999).压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构.金属学报(3),289-291.
MLA	吴亚桥,徐永波."压痕诱发单晶Si非晶化相变区的三维空间分布结构".金属学报 .3(1999):289-291.