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界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响
郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵
1999-02-25
发表期刊材料研究学报
期号1页码:76-80
摘要运用高分辨场发射扫描电镜(FE-SEM)和声发射(AE)测试技术研究了SiC纤维铝基复合材料(SiCf/Al)的不同界面组成和界面产物及其对复合材料性能和AE行为的影响,发现富碳处理的SiCf/Al生成Al4C3脆性界面,在拉伸过程中界面脆断产生许多中幅AE信号,而富SiO2处理的SiCf/Al生成韧度较高的富氧产物,界面强度较高,在形变过程中不易发生界面断裂,不产生中幅AE信号.
部门归属中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室
关键词Sic_f/al界面 场发射扫描电镜 声发射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27536
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵. 界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响[J]. 材料研究学报,1999(1):76-80.
APA 郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵.(1999).界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响.材料研究学报(1),76-80.
MLA 郭延风,朱祖铭,石南林,戴兵."界面结构对SiC_f/Al复合材料性能和声发射行为的影响".材料研究学报 .1(1999):76-80.
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