| 金钢石薄膜与基材之间过渡层技术的研究 |
| 苏革,闻立时,成会明
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| 1998-12-30
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| 发表期刊 | 材料科学与工艺
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| 期号 | 4页码:22-24 |
| 摘要 | 通过TEM观察发现在金刚石膜与单晶硅片、金刚石膜与A1N陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚石与基材的结合强度，采用磁控溅射、空心离子镀、真空蒸镀等方法在MO片上沉积TiC、TiCN（C／N=1／2）、TiCN（C／N=1／10）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响． |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所!沈阳文化路72号，沈阳,110015,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 金刚石薄膜
过渡层
结合强度
（附着强度）
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27568
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
苏革,闻立时,成会明. 金钢石薄膜与基材之间过渡层技术的研究[J]. 材料科学与工艺,1998(4):22-24.
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| APA |
苏革,闻立时,成会明.(1998).金钢石薄膜与基材之间过渡层技术的研究.材料科学与工艺(4),22-24.
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| MLA |
苏革,闻立时,成会明."金钢石薄膜与基材之间过渡层技术的研究".材料科学与工艺 .4(1998):22-24.
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