| C/SiC复合涂层材料的结构及性能 |
| 蒋鸣暄,郑久红,刘敏,王作明
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| 1998-11-15
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| 发表期刊 | 炭素
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| 期号 | 4页码:35-38+34 |
| 摘要 | 采用化学气相沉积方法，在石墨基体上，在1623K，666Pa的条件下制各了SiC含量从0～100wt％全范围变动的C—SiC复合涂层材料，X—射线衍射表明，当SiC含量低于34wt％时，SiC以（220）面择优取向，而当含量高于34wt％时，SiC以（111）面择优取向。本文还对复合涂层的密度及硬度等性能做了测试。 |
| 部门归属 | 中科院金属研究所!沈阳，110015,中科院金属研究所!沈阳，110015,中科院金属研究所!沈阳，110015,中科院金属研究所!沈阳，110015
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| 关键词 | C—sic复合涂层
晶体择优取向
密度
硬度
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27593
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
蒋鸣暄,郑久红,刘敏,王作明. C/SiC复合涂层材料的结构及性能[J]. 炭素,1998(4):35-38+34.
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| APA |
蒋鸣暄,郑久红,刘敏,王作明.(1998).C/SiC复合涂层材料的结构及性能.炭素(4),35-38+34.
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| MLA |
蒋鸣暄,郑久红,刘敏,王作明."C/SiC复合涂层材料的结构及性能".炭素 .4(1998):35-38+34.
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