| 压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察 | |
| 吴亚桥,徐永波 | |
| 1998-10-25 | |
| 发表期刊 | 电子显微学报
 |
| 期号 | 5页码:81-82 |
| 摘要 | 晶体硅在高压下会发生相变［１］。显微压痕实验能够产生极大的压强（ＧＰａ级），有可能诱发硅的相变［２］。Ｃｌａｒｋｅ等人首次利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像（ｐｌａｎ－ｖｉｅｗ）［３］，指出压痕中心已经发生... |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室固体原子像开放研究实验室 |
| 关键词 | 单晶硅:5596 透射电镜观察:5055 非晶化:4569 选区电子衍射:2282 相变:2118 维氏压痕:2067 非晶硅:1913 显微压痕:1383 形貌像:1267 非晶区:1042 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27599 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴亚桥,徐永波. 压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察[J]. 电子显微学报,1998(5):81-82. |
| APA | 吴亚桥,徐永波.(1998).压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察.电子显微学报(5),81-82. |
| MLA | 吴亚桥,徐永波."压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察".电子显微学报 .5(1998):81-82. |
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