| 六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究 |
| 王绍青,刘全朴,王元明
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| 1998-10-25
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 5页码:85-86 |
| 摘要 | 我们利用电子显微镜的高阶弱束暗场成像技术和高分辨电子显微术对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长方法制备的六角ＧａＮ薄膜中的晶界、畴界、线型位错进行了详细系统的研究。研究中我们确定了ＧａＮ薄膜中存在的大量线型位错基本都是Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为ｂ＝１／３〈１１... |
| 部门归属 | 中科院金属所固体原子像开放实验室,英国剑桥大学材料系
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| 关键词 | 晶体缺陷:6491
Gan薄膜:5257
分子束外延:2966
原子像:2587
高分辨:2548
位错结构:1896
电子显微镜:1364
刃型:1099
外延生长:895
缺陷结构:872
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27600
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王绍青,刘全朴,王元明. 六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究[J]. 电子显微学报,1998(5):85-86.
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| APA |
王绍青,刘全朴,王元明.(1998).六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究.电子显微学报(5),85-86.
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| MLA |
王绍青,刘全朴,王元明."六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究".电子显微学报 .5(1998):85-86.
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