| 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察 |
| 杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨
|
| 1998-10-25
|
| 发表期刊 | 电子显微学报
 |
| 期号 | 5页码:95-96 |
| 摘要 | ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３... |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室,辽宁大学
|
| 关键词 | 6h-sic:5527
3c-sic:5322
球磨条件:4266
不全位错:3557
高分辨像:1947
Hrem:1475
堆垛序:1329
长程有序:1225
微观结构:756
多型体:672
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27601
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨. 球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察[J]. 电子显微学报,1998(5):95-96.
|
| APA |
杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨.(1998).球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察.电子显微学报(5),95-96.
|
| MLA |
杨晓云,石广元,黄和鸾,吴玉琨."球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察".电子显微学报 .5(1998):95-96.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论