| Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构 |
| 胡运明,王中光
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| 1998-10-15
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| 发表期刊 | 自然科学进展
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| 期号 | 5页码:84-88 |
| 摘要 | 用透射电子显微镜(TEM)研究了受循环应变载荷作用的Cu双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的(001)和(210)位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Burgers矢量的位错密切相关。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室 沈阳 110015,沈阳 110015
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| 关键词 | 铜双晶
迷宫位错结构
滑移系
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27615
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
胡运明,王中光. Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构[J]. 自然科学进展,1998(5):84-88.
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| APA |
胡运明,王中光.(1998).Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构.自然科学进展(5),84-88.
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| MLA |
胡运明,王中光."Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构".自然科学进展 .5(1998):84-88.
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