扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态

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	扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态
	张哲峰,王中光,苏会和
	1998-09-30
发表期刊	应用基础与工程科学学报
期号	3 页码:57-61
摘要	通过对垂直晶界［５９１３］⊥［５７９］铜双晶体进行循环变形，借助于扫描电镜电子通道衬度技术研究了组元晶体及晶界附近的循环饱和位错组态，结果表明两个组元晶体的表面滑移程度不同，两个组元晶体中的循环饱和位错组态也明显不同，驻留滑移带只能在组元晶体Ｇ１中形成，驻留滑移带能够到达晶界但不能穿过晶界．讨论了组元晶体取向对双晶体的表面滑移形貌及饱和位错组态的影响以及驻留滑移带与晶界的交互作用．
部门归属	中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室
关键词	铜双晶体扫描电镜电子通道衬度技术位错组态
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27623
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张哲峰,王中光,苏会和. 扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态[J]. 应用基础与工程科学学报,1998(3):57-61.
APA	张哲峰,王中光,苏会和.(1998).扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态.应用基础与工程科学学报(3),57-61.
MLA	张哲峰,王中光,苏会和."扫描电镜电子通道衬度技术研究铜双晶体循环饱和位错组态".应用基础与工程科学学报 .3(1998):57-61.